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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | IPW60R099CPFKSA1 授权代理品牌 | +1: ¥164.808761 +10: ¥148.959067 +100: ¥123.290979 +480: ¥107.301023 +1200: ¥100.989198 |
艾睿
IPW60R099CPFKSA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolMOS™ |
零件状态: | 不适用于新设计 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 99 毫欧 18A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V 1.2mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 80 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2800 pF 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 255W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO247-3-1 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |