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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60B217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.804751 +10：￥6.53642 +30：￥5.447057	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2230 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60B217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.503741	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2230 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF60B217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.822149 +50：￥18.314775 +100：￥15.068325 +500：￥12.750736 +1000：￥10.818698	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2230 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF60B217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB 下载数据手册未分类	+388：￥10.98316	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9mOhm @ 36A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.7V @ 50µA Supplier Device Package： TO-220AB Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2230 pF @ 25 V
IRF60B217 International 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册未分类	+388：￥10.98316	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9mOhm @ 36A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.7V @ 50µA Supplier Device Package： PG-TO220-3-1 Part Status： Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2230 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60B217 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥26.252086 +10：￥14.723997 +100：￥13.191266 +250：￥13.174961 +500：￥12.115093	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2230 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60B217 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube 下载数据手册未分类	+3000：￥8.669433	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF60B217 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube 下载数据手册未分类	+3000：￥8.825162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60B217 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube 下载数据手册未分类	+13：￥5.097969 +100：￥4.815482 +500：￥4.689303 +1000：￥4.5829	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF60B217 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+10：￥5.344327 +100：￥4.820263 +500：￥4.69396 +1000：￥4.58745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF60B217参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 毫欧 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	66 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2230 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）