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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU1N60APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.300187	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 840mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 229 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU1N60APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥10.519398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 840mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 229 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFU1N60APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA 下载数据手册未分类	+1：￥22.9479 +75：￥18.425636 +150：￥14.602056 +525：￥12.376722 +1050：￥10.082237	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7Ohm @ 840mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-251AA Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 229 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU1N60APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥24.874423 +10：￥20.065369 +100：￥15.836718 +500：￥13.415606 +1000：￥10.662837	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 840mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 229 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU1N60APBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥3.92459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFU1N60APBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK 下载数据手册未分类	+3000：￥8.62268 +5025：￥8.359557 +10050：￥8.358009	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU1N60APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK 下载数据手册未分类	+30：￥1.932335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU1N60APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 1.4A, TO-251 下载数据手册未分类	+1：￥14.267311 +10：￥11.508875 +100：￥9.093596 +500：￥7.694581 +1000：￥6.12399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU1N60APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 1.4A, TO-251 下载数据手册未分类	+1：￥15.386257 +10：￥12.416325 +100：￥9.808273 +500：￥8.298347 +1000：￥6.601241	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU1N60APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 1.4 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, IRFU1N60APBF 下载数据手册未分类	+75：￥10.364677 +375：￥9.32896	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFU1N60APBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 欧姆 840mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	229 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	36W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-251AA
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）