IPC70N04S54R6ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.65904 +200：￥3.0492 +500：￥2.43936 +1000：￥2.0328	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.64409 +10：￥4.534817 +30：￥4.469253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.052048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥5.967498 +10000：￥5.692033 +25000：￥5.681031	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.144843 +10：￥12.387338 +100：￥9.639836 +500：￥8.170787 +1000：￥6.656016	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34
IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.144843 +10：￥12.387338 +100：￥9.639836 +500：￥8.170787 +1000：￥6.656016	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34

Mouser

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	IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	+1：￥17.149502 +10：￥13.098954 +100：￥10.79602 +500：￥9.326063 +1000：￥7.170126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 40V, 70A, TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥8.914879 +10：￥6.80144 +100：￥5.610227 +500：￥4.854511 +1000：￥3.75296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥7.841329 +10：￥7.283297 +50：￥6.638672 +100：￥6.484732 +200：￥6.061397	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, 70A, TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥9.500721 +10：￥7.339244 +100：￥5.983751 +500：￥5.165557 +1000：￥3.968808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPC70N04S54R6ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.6 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.4V 17µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1430 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-34
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）