IRF6644TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRF6644TRPBF 共 16 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6644TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥17.722507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13mOhm 10.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6644TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.121967 +10：￥14.105408 +30：￥12.845059 +100：￥11.553201 +500：￥10.965038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13mOhm 10.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6644TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.889978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13mOhm 10.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6644TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+31：￥27.440633 +100：￥22.175958 +500：￥18.392372 +1000：￥15.618798 +40000：￥14.784014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13mOhm 10.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IRF6644TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.432873 +10：￥27.467751 +100：￥22.197923 +500：￥18.410655 +1000：￥15.63426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13mOhm 10.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IRF6644TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥10.640032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13mOhm 10.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IRF6644TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13mOhm 10.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IRF6644TRPBF International 授权代理品牌	IRF6644TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+100：￥10.329951 +300：￥10.282604 +500：￥10.235142 +1000：￥10.187795 +5000：￥10.045639	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6644TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13mOhm 10.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6644TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥16.029145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13mOhm 10.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.8V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)

IRF6644TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.3A (Ta), 60A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13mOhm 10.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.8V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2210 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度:	-40°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MN
封装/外壳:	DirectFET™ Isometric MN
温度:	-40°C # 150°C (TJ)