IPP023N10N5AKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP023N10N5AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.559128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP023N10N5AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥25.0047	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP023N10N5AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP023N10N5AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.83539 +10：￥40.266396 +100：￥32.990188 +500：￥28.083932 +1000：￥24.672112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP023N10N5AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥109.679244 +10：￥98.502274 +100：￥80.70274 +500：￥68.700738 +1000：￥60.354524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPP023N10N5AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥93.939988 +10：￥78.912428 +100：￥63.842298 +500：￥56.748836 +1000：￥48.591098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.3mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.8V @ 270µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 15600 pF @ 50 V

Mouser

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	IPP023N10N5AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥112.78759 +10：￥101.359772 +25：￥98.544222 +100：￥82.14779 +250：￥80.822826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP023N10N5AKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥50.149916 +1000：￥47.10476	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP023N10N5AKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+4：￥75.243785 +10：￥54.867956 +50：￥48.720924 +100：￥45.761243	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP023N10N5AKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥60.615781 +10：￥44.160271 +50：￥39.139944 +100：￥36.72275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP023N10N5AKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.3 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	210 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15600 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）