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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.829975 +200：￥5.97135 +800：￥4.383225 +2500：￥3.17625 +5000：￥3.017498	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-344 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.440281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-344 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.577029	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-344 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-344 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R650CEAUMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥14.225113 +10：￥12.331854 +25：￥11.806427 +50：￥10.007407 +100：￥8.936561	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R650CEAUMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2500：￥3.94599 +5000：￥3.888803 +7500：￥3.831615 +10000：￥3.831615 +12500：￥3.717239	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD60R650CEAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	650 毫欧 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	440 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	82W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-344
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-40°C # 150°C（TJ）