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	IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.318794 +10：￥22.138649 +30：￥21.439304 +90：￥20.729031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥29.753625 +900：￥29.503463 +1800：￥29.003484 +3600：￥28.50339	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥63.206325 +90：￥56.825496 +270：￥55.38078 +450：￥54.417636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.429446 +30：￥38.059932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH46N65X2 Zilog 授权代理品牌	IXFH46N65X2 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-247-3 Rds OnMax@Id,Vgs： 76mΩ@10V,23A Pd-功率耗散Max： 660W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.964121 +30：￥33.754228	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥105.101625 +30：￥82.571784	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥113.924477 +30：￥89.547624 +510：￥89.381795	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH46N65X2 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥112.724425 +500：￥111.59455 +1000：￥110.480151 +2000：￥109.381232 +2500：￥108.282312	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH46N65X2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2 下载数据手册未分类	+30：￥56.30308 +120：￥55.201062 +510：￥54.099043	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH46N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	76 毫欧 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	75 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4810 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	660W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥29.753625 +900：￥29.503463 +1800：￥29.003484 +3600：￥28.50339	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥63.206325 +90：￥56.825496 +270：￥55.38078 +450：￥54.417636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH46N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.429446 +30：￥38.059932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 76 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）