IXFH26N50P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH26N50P 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥41.479917 +10：￥35.306009 +30：￥31.536101 +90：￥28.37812	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH26N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD 下载数据手册未分类	+3：￥74.191832 +10：￥67.331622 +25：￥60.598523 +100：￥55.135693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFH26N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥68.476332 +10：￥59.683623 +100：￥48.64551 +500：￥42.36087 +1000：￥37.263623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH26N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.567768 +10：￥42.962741 +100：￥35.569019 +500：￥30.973213 +1000：￥26.976703	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFH26N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥123.76596 +30：￥75.840385 +120：￥66.007186 +510：￥62.355404	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH26N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥131.336515 +10：￥116.41191 +30：￥82.582809 +120：￥70.974783 +510：￥67.492376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH26N50P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥65.223222 +510：￥62.220539	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH26N50P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500 下载数据手册未分类	+30：￥54.834101 +120：￥47.159551 +510：￥44.823819	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH26N50P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 11 下载数据手册未分类	+1：￥95.736271 +10：￥72.697613 +25：￥52.466187 +100：￥47.142128	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH26N50P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 500V, 26A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥80.315975 +5：￥65.126553 +10：￥49.937133 +50：￥48.463909 +100：￥46.990688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH26N50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	230 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）