IPP075N15N3GXKSA1厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.494295 +200：￥21.745267 +500：￥21.024067 +1000：￥20.663468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥64.28004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.232858 +50：￥26.326965 +100：￥22.565636 +500：￥20.058395 +1000：￥17.175021	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥81.296376 +50：￥64.402733 +100：￥55.201525 +500：￥49.068149 +1000：￥42.014653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥90.320714 +10：￥88.687427 +25：￥72.19124 +100：￥62.228195 +250：￥61.901539	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5470 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPP075N15N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥83.575169 +10：￥74.667353 +100：￥60.897301 +500：￥46.800587	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP075N15N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 150V, PG-TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥53.540506 +10：￥42.435334 +100：￥35.390531 +500：￥30.023673 +1000：￥29.447279	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP075N15N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥39.021283 +10：￥32.549458 +25：￥27.314896 +50：￥19.700989 +250：￥19.605815	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP075N15N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+50：￥27.660423 +1000：￥27.203226 +1500：￥26.974628 +2000：￥26.63173	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP075N15N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N CH, 100A, 150V, PG-TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥56.988215 +10：￥45.171502 +100：￥37.655099 +500：￥31.953847 +1000：￥31.320372	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP075N15N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	93 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5470 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）