IPC100N04S5L1R1ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPC100N04S5L1R1ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.732281 +200：￥9.776921 +500：￥7.82144 +1000：￥6.517907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC100N04S5L1R1ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.813109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPC100N04S5L1R1ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥17.488743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPC100N04S5L1R1ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.431738 +10：￥31.784736 +100：￥25.543298 +500：￥20.986492 +1000：￥17.488743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34
IPC100N04S5L1R1ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.431738 +10：￥31.784736 +100：￥25.543298 +500：￥20.986492 +1000：￥17.488743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34
IPC100N04S5L1R1ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	+1：￥12.978659	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.1mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 90µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-34 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 8250 pF @ 25 V

Mouser

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	IPC100N04S5L1R1ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	+1：￥37.203613 +10：￥33.510606 +100：￥26.945263 +500：￥22.158033 +1000：￥21.06381	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPC100N04S5L1R1ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.1 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-34
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）