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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD210PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.133833 +10：￥10.089222 +30：￥8.407685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 360mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD210PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP 下载数据手册未分类	+1：￥9.536642 +10：￥8.055732 +30：￥7.247008 +100：￥6.333255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 360mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFD210PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP 下载数据手册未分类	+13：￥13.548754 +100：￥10.556701 +500：￥8.730702 +1000：￥6.889507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 360mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFD210PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRFD210PBF INFINEON TECHNOLOGIES/IR 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFD210PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP 下载数据手册未分类	+10：￥12.949249 +100：￥10.096179 +500：￥8.337772 +1000：￥6.579365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 360mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD210PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.692975 +10：￥6.886539 +100：￥5.369166 +500：￥4.435398 +1000：￥3.50163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 360mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD210PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.819055 +10：￥16.846299 +100：￥13.134403 +500：￥10.850158 +1000：￥8.565915	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 360mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD210PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP 下载数据手册未分类	+1：￥20.914715 +10：￥16.33962 +100：￥13.872338 +500：￥11.764528 +1000：￥9.019472	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 360mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD210PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP 下载数据手册未分类	+1：￥9.583246 +10：￥9.077632 +100：￥8.554853 +500：￥8.380073	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFD210PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 360mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	140 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	4-HVMDIP
封装/外壳:	4-DIP（0.300，7.62mm）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）