IRLP3034PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRLP3034PBF 共 13 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLP3034PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.898681 +10：￥25.748921 +25：￥20.59904 +100：￥17.165907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 162 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10315 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLP3034PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.243232 +10：￥15.003142 +25：￥13.069015 +100：￥11.626615 +400：￥10.981906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 162 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10315 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLP3034PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.320608	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 162 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10315 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLP3034PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.363874 +25：￥24.845795 +100：￥21.295896 +500：￥18.929529 +1000：￥16.208465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 162 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10315 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLP3034PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.724347 +25：￥60.779399 +100：￥52.095403 +500：￥46.306644 +1000：￥39.6502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 162 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10315 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLP3034PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC 下载数据手册晶体管	+1：￥76.601111 +10：￥75.131154 +25：￥62.881509 +100：￥60.758238 +250：￥59.778266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 162 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10315 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLP3034PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube 下载数据手册未分类	+1：￥45.096398 +10：￥44.488042 +25：￥41.867429 +100：￥40.307539 +400：￥35.799458	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLP3034PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube 下载数据手册未分类	+3：￥25.283957 +10：￥24.925524 +25：￥23.375549 +100：￥22.46494 +400：￥19.849358	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRLP3034PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube 下载数据手册未分类	+3：￥28.006098 +10：￥27.628292 +25：￥26.00082 +100：￥25.032083 +400：￥22.232443	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLP3034PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N CH, 40V, 327A, TO-247AC 下载数据手册未分类	+1：￥50.731829 +10：￥43.871596 +100：￥30.635106 +500：￥28.299962 +1000：￥25.964823	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLP3034PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.7 毫欧 195A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	162 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10315 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	341W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）