IRL1404ZSTRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.99712 +10：￥29.99808 +30：￥24.9984	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥6.070682 +200：￥2.352652 +500：￥2.268629 +800：￥2.226617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.592972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥10.241807 +1600：￥8.486017 +2400：￥7.90082 +5600：￥7.608155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL1404ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥17.697808 +1600：￥14.663809 +2400：￥13.652591 +5600：￥13.146866	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL1404ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.816467 +10：￥26.800151 +100：￥21.540665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRL1404ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.816467 +10：￥26.800151 +100：￥21.540665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥33.28146 +10：￥28.526966 +100：￥23.613989 +250：￥22.821574 +500：￥20.761293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404ZSTRLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+3200：￥13.532418 +6400：￥13.298903	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL1404ZSTRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5080 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	230W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）