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IPS80R1K2P7AKMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPS80R1K2P7AKMA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: CoolMOS™ P7

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak

供应商器件封装: PG-TO251-3-342

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: CoolMOS™ P7

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak

供应商器件封装: PG-TO251-3-342

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IPS80R1K2P7AKMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: CoolMOS™ P7

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak

供应商器件封装: PG-TO251-3-342

IPS80R1K2P7AKMA1_未分类
IPS80R1K2P7AKMA1
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MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

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Packaging: Bulk

Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 37W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA

Supplier Device Package: PG-TO251-3-342

Part Status: Not For New Designs

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

Mouser
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IPS80R1K2P7AKMA1
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MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

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系列: CoolMOS™ P7

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak

供应商器件封装: PG-TO251-3-342

艾睿
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800V CoolMOS P7 Power Transistor

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IPS80R1K2P7AKMA1参数规格

属性 参数值
系列: CoolMOS™ P7
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商器件封装: PG-TO251-3-342