IRFP22N50APBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP22N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥57.016773 +5：￥38.558102 +15：￥28.303231 +25：￥20.509621 +50：￥19.484146	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP22N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	N沟道 500V 22A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 500V 连续漏极电流(Id)： 22A 功率(Pd)： 277W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 230mΩ@10V,13A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250μA
	IRFP22N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC 下载数据手册	+1：￥25.668157 +10：￥22.193285 +25：￥20.128031 +100：￥18.040923 +500：￥17.079323	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP22N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥24.079758 +1000：￥23.467606 +2500：￥23.059427 +10000：￥19.386283	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFP22N50APBF 授权代理品牌	IRFP22N50APBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥17.307189 +100：￥16.585988 +500：￥15.864788 +1000：￥15.143587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP22N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.779817 +25：￥24.371541 +100：￥20.889977 +500：￥18.56905 +1000：￥15.899732	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP22N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.295589 +25：￥59.619248 +100：￥51.102417 +500：￥45.424816 +1000：￥38.894958	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP22N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC 下载数据手册未分类	+1：￥77.744412 +10：￥65.331438 +25：￥61.574881 +100：￥52.755137 +250：￥49.815221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP22N50APBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 下载数据手册未分类	+1：￥47.826204 +10：￥44.64403 +25：￥42.850157 +50：￥42.007818 +100：￥40.104752	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP22N50APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET 500V N-CH HEXFET 下载数据手册未分类	+25：￥30.036501 +50：￥29.349389 +100：￥28.662281 +250：￥28.073329 +500：￥27.484378	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFP22N50APBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	230 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	120 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3450 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	277W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）