搜索 IRF7493TRPBF 共 23 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRF7493TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥17.356752 +100: ¥14.138496 +300: ¥11.339712 +500: ¥10.124784 +1000: ¥9.397872 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRF7493TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥3.484386 +4000: ¥3.082394 +12000: ¥3.028746 +20000: ¥2.948327 +28000: ¥2.894679 | 暂无参数 | |||
IRF7493TRPBF 授权代理品牌 | 1+: | ||||
IRF7493TRPBF 授权代理品牌 | +4: ¥3.350424 +40: ¥3.216357 +160: ¥3.082394 +4000: ¥3.001975 +12000: ¥2.894679 | 暂无参数 | |||
IRF7493TRPBF | +10: ¥2.959005 +500: ¥2.731301 +2000: ¥2.503711 +6000: ¥2.276123 | 暂无参数 | |||
IRF7493TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥6.278958 +500: ¥6.174309 +1000: ¥6.121984 +3000: ¥6.017335 | ||||
IRF7493TRPBF | +1: ¥3.061687 +5: ¥2.985168 +10: ¥2.908649 +30: ¥2.832014 +50: ¥2.781078 | 暂无参数 | |||
IRF7493TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥7.848698 +100: ¥7.717886 +500: ¥7.587074 |
IRF7493TRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 15 毫欧 5.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 53 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1510 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SO |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |