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IRFP4004PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFP4004PBF
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¥61.622759

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¥51.3524

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¥41.08192

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¥34.234893

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 195A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 330 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8920 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 380W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
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IRFP4004PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 195A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 330 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8920 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 380W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IRFP4004PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 195A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 330 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8920 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 380W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IRFP4004PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥23.061115

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¥20.259558

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 195A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 330 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8920 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 380W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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¥66.26884

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¥56.413596

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¥49.560248

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 195A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 330 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8920 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 380W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IRFP4004PBF_未分类
IRFP4004PBF
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MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC

未分类

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¥57.044165

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¥48.561094

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¥40.955069

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tube

Package / Case: TO-247-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 380W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-247AC

Part Status: Not For New Designs

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V

Mouser
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IRFP4004PBF_未分类
IRFP4004PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC

未分类

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¥91.604732

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¥82.363194

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¥67.447025

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¥57.556955

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¥49.612475

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 195A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 330 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8920 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 380W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IRFP4004PBF_未分类
IRFP4004PBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

未分类

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¥76.694805

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¥66.845981

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¥55.778039

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¥39.90212

+1200:

¥38.874773

库存: 0

货期:7~10 天

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IRFP4004PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 195A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 330 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8920 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 380W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)