IRFP4004PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4004PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥61.622759 +10：￥51.3524 +30：￥41.08192 +100：￥34.234893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFP4004PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.25912 +10：￥11.017553 +30：￥10.860009 +100：￥10.691962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFP4004PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.402108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFP4004PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.80262 +10：￥33.065388 +100：￥27.089805 +500：￥23.061115 +1000：￥20.259558	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4004PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥90.028961 +10：￥80.886701 +100：￥66.26884 +500：￥56.413596 +1000：￥49.560248	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFP4004PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC 下载数据手册未分类	+1：￥77.462815 +10：￥69.620561 +100：￥57.044165 +500：￥48.561094 +1000：￥40.955069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.7mOhm @ 195A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-247AC Part Status： Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 8920 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4004PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC 下载数据手册未分类	+1：￥91.604732 +10：￥82.363194 +100：￥67.447025 +400：￥57.556955 +1200：￥49.612475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4004PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube 下载数据手册未分类	+1：￥76.694805 +10：￥66.845981 +100：￥55.778039 +400：￥39.90212 +1200：￥38.874773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFP4004PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.7 毫欧 195A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	330 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8920 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	380W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）