IRLHS6242TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.087017 +300：￥2.763882 +1000：￥2.028807 +4000：￥1.47015 +8000：￥1.396703	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.051113 +10：￥1.683091 +30：￥1.525337 +100：￥1.328619 +500：￥1.240919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.507967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.625306	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6242TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRLHS6242TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥2.572358 +9000：￥2.527674 +15000：￥2.460532 +18000：￥2.348705	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHS6242TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLHS6242TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥4.414951 +3000：￥4.061759 +9000：￥3.885105 +12000：￥3.708567	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.335998 +8000：￥2.275011 +12000：￥2.234395 +20000：￥2.017692 +28000：￥1.910446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥6.74969 +50：￥3.29435 +100：￥3.01531 +200：￥3.004635 +500：￥2.446681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥4.480202 +500：￥3.522463 +1000：￥2.724247 +2000：￥2.479567 +4000：￥2.46889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥0.997278	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLHS6242TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta），12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.7 毫欧 8.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1110 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.98W（Ta），9.6W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-PQFN（2x2）
封装/外壳:	6-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.625306	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6242TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRLHS6242TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥2.572358 +9000：￥2.527674 +15000：￥2.460532 +18000：￥2.348705	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHS6242TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLHS6242TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥4.414951 +3000：￥4.061759 +9000：￥3.885105 +12000：￥3.708567	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.335998 +8000：￥2.275011 +12000：￥2.234395 +20000：￥2.017692 +28000：￥1.910446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥6.74969 +50：￥3.29435 +100：￥3.01531 +200：￥3.004635 +500：￥2.446681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS6242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥4.480202 +500：￥3.522463 +1000：￥2.724247 +2000：￥2.479567 +4000：￥2.46889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）