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IRLML0100TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 1.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Micro3™/SOT-23

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRLML0100TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 1.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 25µA

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Vgs(最大值): ±16V

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FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Micro3™/SOT-23

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

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IRLML0100TRPBF_未分类
IRLML0100TRPBF
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IRLML0100TRPBF VBSEMI/微碧半导体

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IRLML0100TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
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系列: HEXFET®
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FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 1.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5 nC 4.5 V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290 pF 25 V
FET 功能: -
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封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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