IRLML0100TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.546852 +50：￥0.505839 +200：￥0.471661 +600：￥0.437484 +1500：￥0.41013	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.429615 +200：￥0.96679 +800：￥0.709665 +3000：￥0.51425 +6000：￥0.488598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.867449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.29191 +10：￥1.059227 +100：￥0.955041 +500：￥0.688787 +1000：￥0.64364	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.297698 +100：￥1.261696 +500：￥1.237617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.573025 +100：￥0.562606 +500：￥0.557397 +1000：￥0.54964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.614699 +6000：￥0.599071 +9000：￥0.588652 +12000：￥0.583443	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.639009 +100：￥0.628359 +1000：￥0.623034 +3000：￥0.612384	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF 授权代理品牌	IRLML0100TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.021025 +25：￥0.995558 +50：￥0.969974 +100：￥0.944507 +150：￥0.927489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.972353 +6000：￥0.889114 +9000：￥0.846713 +15000：￥0.798933 +21000：￥0.770665	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML0100TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	220 毫欧 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	290 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.29191 +10：￥1.059227 +100：￥0.955041 +500：￥0.688787 +1000：￥0.64364	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.297698 +100：￥1.261696 +500：￥1.237617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.573025 +100：￥0.562606 +500：￥0.557397 +1000：￥0.54964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.614699 +6000：￥0.599071 +9000：￥0.588652 +12000：￥0.583443	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.639009 +100：￥0.628359 +1000：￥0.623034 +3000：￥0.612384	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0100TRPBF 授权代理品牌	IRLML0100TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.021025 +25：￥0.995558 +50：￥0.969974 +100：￥0.944507 +150：￥0.927489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数