IRLML0060TRPBF厂家价格_数据手册

搜索 IRLML0060TRPBF 共 53 条相关记录

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML0060TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFETs N-channel 60 V 2.5A SOT-23 下载数据手册未分类	+1：￥0.746735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.498209 +30：￥0.48079 +100：￥0.445951 +500：￥0.411112 +1000：￥0.393692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.688511 +50：￥0.634268 +200：￥0.589066 +600：￥0.543863 +1500：￥0.507701	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.429615 +200：￥0.96679 +800：￥0.709665 +3000：￥0.51425 +6000：￥0.488598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.610929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.622276 +6000：￥2.544724 +12000：￥2.521778 +15000：￥2.445699 +45000：￥2.370601	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.010329 +6000：￥1.959896 +9000：￥1.920876 +15000：￥1.871424 +30000：￥1.801603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.274777 +10：￥1.150448 +50：￥1.039316 +100：￥0.986875 +500：￥0.936982	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.838699 +10：￥0.81682 +30：￥0.802235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.80781 +6000：￥0.774227 +9000：￥0.696839 +30000：￥0.686501 +75000：￥0.645209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML0060TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	92 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	290 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML0060TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFETs N-channel 60 V 2.5A SOT-23 下载数据手册未分类	+1：￥0.746735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.498209 +30：￥0.48079 +100：￥0.445951 +500：￥0.411112 +1000：￥0.393692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.688511 +50：￥0.634268 +200：￥0.589066 +600：￥0.543863 +1500：￥0.507701	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.622276 +6000：￥2.544724 +12000：￥2.521778 +15000：￥2.445699 +45000：￥2.370601	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.010329 +6000：￥1.959896 +9000：￥1.920876 +15000：￥1.871424 +30000：￥1.801603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.274777 +10：￥1.150448 +50：￥1.039316 +100：￥0.986875 +500：￥0.936982	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.838699 +10：￥0.81682 +30：￥0.802235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）