IRLML2502TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2502TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.442566 +30：￥0.427296 +100：￥0.396779 +500：￥0.366262 +1000：￥0.350992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLML2502TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFETs N-Channel SOT23-3 ID=6A 下载数据手册未分类	+1：￥0.222959	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRLML2502TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.219438 +200：￥0.824615 +800：￥0.605363 +3000：￥0.438625 +6000：￥0.416724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLML2502TRPBF 台舟电子(TECH PUBLIC) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRLML2502TRPBF SOT-23 下载数据手册未分类	+20：￥0.81675 +100：￥0.551397 +800：￥0.403898 +3000：￥0.294998 +6000：￥0.280236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRLML2502TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.5929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML2502TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥1.405812	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2502TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML2502TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥0.42497 +50：￥0.41738 +500：￥0.409792 +3000：￥0.390819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML2502TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRLML2502TRPBF TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.29596 +9000：￥0.280362 +39000：￥0.26276 +69000：￥0.257913 +138000：￥0.238835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML2502TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLML2502TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.848464 +6000：￥0.77423 +9000：￥0.736394 +15000：￥0.693868 +21000：￥0.668665	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML2502TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	740 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）