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IRLML5203TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥0.500084

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¥0.480239

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¥0.432611

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¥0.408797

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 510 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Micro3™/SOT-23

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRLML5203TRPBF_未分类
IRLML5203TRPBF
授权代理品牌

MOSFETs P-Channel SOT23-3 ID=5.4A

未分类

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¥0.402192

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¥0.386482

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¥0.348776

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¥0.329924

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IRLML5203TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRLML5203TRPBF
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MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥0.654973

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¥0.476498

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¥0.452661

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 510 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Micro3™/SOT-23

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRLML5203TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23

晶体管-FET,MOSFET-单个

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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 510 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)

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安装类型: 表面贴装型

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封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥0.284592

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IRLML5203TRPBF
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IRLML5203TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微

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¥1.968327

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MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23

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系列: HEXFET®

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 3A,10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

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FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

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系列: HEXFET®

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 510 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)

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安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Micro3™/SOT-23

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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品牌: Infineon Technologies

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封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 510 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Micro3™/SOT-23

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

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功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)

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安装类型: 表面贴装型

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封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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IRLML5203TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 510 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Micro3™/SOT-23
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)