IRLML0030TRPBF厂家价格_数据手册

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	IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.564492 +50：￥0.522156 +200：￥0.486876 +600：￥0.451596 +1500：￥0.423372	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.429615 +200：￥0.96679 +800：￥0.709665 +3000：￥0.51425 +6000：￥0.488598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.486178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLML0030TRPBF null(华轩阳电子) 授权代理品牌	该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供5.8A强大电流处理能力。具有出色的低导通电阻和快速开关性能，是充电器、电源转换及高功率电子设备的理想选择，确保高效稳定的功率控制与转换。下载数据手册未分类	+1：￥0.094864 +100：￥0.088935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册未分类	+10：￥0.651365 +100：￥0.637032 +300：￥0.62333 +1000：￥0.610155 +5000：￥0.579695	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0030TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES 下载数据手册未分类	+3000：￥0.557561	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥1.436694 +30：￥0.712286 +100：￥0.641986 +500：￥0.60615 +1500：￥0.589075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0030TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML0030TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.417907 +3000：￥0.36974 +9000：￥0.363312 +15000：￥0.353614 +21000：￥0.347185	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.845066 +10：￥0.729304 +100：￥0.590389 +500：￥0.520931 +1000：￥0.509355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.519052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML0030TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 5.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	382 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册未分类	+10：￥0.651365 +100：￥0.637032 +300：￥0.62333 +1000：￥0.610155 +5000：￥0.579695	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0030TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES 下载数据手册未分类	+3000：￥0.557561	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥1.436694 +30：￥0.712286 +100：￥0.641986 +500：￥0.60615 +1500：￥0.589075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML0030TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML0030TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.417907 +3000：￥0.36974 +9000：￥0.363312 +15000：￥0.353614 +21000：￥0.347185	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML0030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.845066 +10：￥0.729304 +100：￥0.590389 +500：￥0.520931 +1000：￥0.509355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 5.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 382 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）