IRLML6302TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.352028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 780mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 610mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.45 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 97 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLML6302TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFETs P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥0.234678	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.223915 +200：￥0.915365 +800：￥0.709665 +3000：￥0.51425 +6000：￥0.488598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 780mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 610mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.45 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 97 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6302TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML6302TRPBF 下载数据手册未分类	+5：￥0.422394 +50：￥0.337111 +150：￥0.294469 +500：￥0.262487	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRLML6302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥1.578482 +10：￥1.300471 +30：￥1.181263 +100：￥1.032541 +500：￥0.966373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 780mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 610mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.45 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 97 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.555027	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 780mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 610mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.45 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 97 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.797597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 780mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 610mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.45 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 97 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML6302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.951134	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 780mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 610mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.45 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 97 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML6302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.515089 +10：￥5.320656 +100：￥3.626733 +500：￥2.719778 +1000：￥2.039767	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： Micro3™/SOT-23
IRLML6302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.515089 +10：￥5.320656 +100：￥3.626733 +500：￥2.719778 +1000：￥2.039767	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： Micro3™/SOT-23

IRLML6302TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	780mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 610mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.6 nC 4.45 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	97 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	540mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）