IRLML2060TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.920489 +10：￥0.849686 +30：￥0.835519 +100：￥0.79304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOS场效应管 IRLML2060TRPBF SOT-23 下载数据手册未分类	+10：￥1.164867 +200：￥0.78771 +800：￥0.578259 +3000：￥0.419023 +6000：￥0.39809	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.187373 +1000：￥1.007446 +3000：￥0.719587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.853292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRLML2060TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLML2060TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.843614 +1000：￥0.702696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥2.013227 +10：￥1.968959 +30：￥1.926693 +100：￥1.886115 +500：￥1.791783	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.795289 +10：￥0.724095 +100：￥0.689366 +500：￥0.668529 +1000：￥0.649428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.274661 +10：￥1.155194 +30：￥1.07555 +100：￥1.019752 +300：￥0.955967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.541653 +50：￥0.53216 +100：￥0.518037 +500：￥0.503798 +1250000：￥0.475668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.748735 +6000：￥0.703334 +15000：￥0.657992 +30000：￥0.603534 +75000：￥0.580804	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML2060TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	480 毫欧 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.67 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	64 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML2060TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLML2060TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.843614 +1000：￥0.702696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥2.013227 +10：￥1.968959 +30：￥1.926693 +100：￥1.886115 +500：￥1.791783	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.795289 +10：￥0.724095 +100：￥0.689366 +500：￥0.668529 +1000：￥0.649428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.274661 +10：￥1.155194 +30：￥1.07555 +100：￥1.019752 +300：￥0.955967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.541653 +50：￥0.53216 +100：￥0.518037 +500：￥0.503798 +1250000：￥0.475668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）