IRLML2060TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.010241 +10：￥0.932535 +30：￥0.916986 +100：￥0.870365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOS场效应管 IRLML2060TRPBF SOT-23 下载数据手册未分类	+10：￥2.817216 +100：￥2.032272 +200：￥1.540656 +500：￥1.296576 +800：￥1.1772	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.413072 +1000：￥1.198944 +3000：￥0.856368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.411661 +10：￥3.1201 +30：￥2.995114 +100：￥2.839252 +500：￥2.769828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLML2060TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRLML2060TRPBF 下载数据手册未分类	+5：￥0.776635 +50：￥0.623654 +150：￥0.547163 +500：￥0.474244 +3000：￥0.428349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.3716	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2060TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLML2060TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.843614 +1000：￥0.702696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥2.013227 +10：￥1.968959 +30：￥1.926693 +100：￥1.886115 +500：￥1.791783	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.924428 +6000：￥0.868373 +15000：￥0.812391 +30000：￥0.745155 +75000：￥0.717091	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2060TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.597408 +6000：￥1.500546 +15000：￥1.40381 +30000：￥1.287624 +75000：￥1.239131	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.67 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML2060TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	480 毫欧 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.67 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	64 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）