IRLML6401TRPBF厂家价格_数据手册

搜索 IRLML6401TRPBF 共 56 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.372755 +30：￥0.359052 +100：￥0.331644 +500：￥0.304235 +1000：￥0.290531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLML6401TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFETs P-Channel SOT23-3 ID=4.5A 下载数据手册未分类	+1：￥0.262549 +10：￥0.241712 +30：￥0.237545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.093235 +200：￥0.73931 +800：￥0.542685 +3000：￥0.39325 +6000：￥0.373648	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.683166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册未分类	+100：￥1.345419	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML6401TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML6401TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.278148 +150：￥0.267503 +15000：￥0.235356 +75000：￥0.231036 +150000：￥0.21396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册未分类	+5：￥5.369852 +100：￥3.627309 +500：￥2.695429 +1000：￥1.94331 +3000：￥1.788238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML6401TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML6401TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥0.273826 +10：￥0.263183 +30：￥0.258861 +100：￥0.254645 +500：￥0.243894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册未分类	+2560：￥0.971779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.675167 +6000：￥0.64715 +9000：￥0.582422 +30000：￥0.573792 +75000：￥0.539271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML6401TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 4.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	830 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册未分类	+100：￥1.345419	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML6401TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML6401TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.278148 +150：￥0.267503 +15000：￥0.235356 +75000：￥0.231036 +150000：￥0.21396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册未分类	+5：￥5.369852 +100：￥3.627309 +500：￥2.695429 +1000：￥1.94331 +3000：￥1.788238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML6401TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLML6401TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥0.273826 +10：￥0.263183 +30：￥0.258861 +100：￥0.254645 +500：￥0.243894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML6401TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 下载数据手册未分类	+2560：￥0.971779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）