IRLML6244TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6244TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.49499 +30：￥0.477184 +100：￥0.441573 +500：￥0.405963 +1000：￥0.388158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6244TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.429615 +200：￥0.96679 +800：￥0.709665 +3000：￥0.51425 +6000：￥0.488598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML6244TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.504752 +10：￥1.232517 +30：￥1.115934 +100：￥0.825213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML6244TRPBF FUXINSEMI(富芯微) 授权代理品牌	MOS管下载数据手册未分类	+10：￥0.296238 +100：￥0.236794 +300：￥0.207072 +3000：￥0.18478 +6000：￥0.166969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 6.8A 功率(Pd)： 1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 18mΩ@4.5V,6.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.0V@10uA
IRLML6244TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥0.580073 +50：￥0.470801 +150：￥0.416164 +500：￥0.375188 +3000：￥0.33055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6244TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.68123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML6244TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.540125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML6244TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.321288	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML6244TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.333612 +10：￥3.374027 +100：￥2.025963 +500：￥1.876455 +1000：￥1.321443	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： Micro3™/SOT-23
IRLML6244TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.333612 +10：￥3.374027 +100：￥2.025963 +500：￥1.876455 +1000：￥1.321443	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： Micro3™/SOT-23

IRLML6244TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21 毫欧 6.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	700 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML6244TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.504752 +10：￥1.232517 +30：￥1.115934 +100：￥0.825213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML6244TRPBF FUXINSEMI(富芯微) 授权代理品牌	MOS管下载数据手册未分类	+10：￥0.296238 +100：￥0.236794 +300：￥0.207072 +3000：￥0.18478 +6000：￥0.166969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 6.8A 功率(Pd)： 1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 18mΩ@4.5V,6.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.0V@10uA
IRLML6244TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥0.580073 +50：￥0.470801 +150：￥0.416164 +500：￥0.375188 +3000：￥0.33055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数