搜索 IRLML6402TRPBF 共 64 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRLML6402TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥0.423806 +100: ¥0.423806 +1000: ¥0.423806 | ||||
IRLML6402TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥0.418013 +1000: ¥0.396617 +27000: ¥0.385867 +42000: ¥0.375221 +60000: ¥0.360887 | 暂无参数 | |||
IRLML6402TRPBF 授权代理品牌 | +74: ¥0.408758 +500: ¥0.37727 +3000: ¥0.361527 +9000: ¥0.355275 | 暂无参数 | |||
IRLML6402TRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥1.157625 +100: ¥0.810338 +1000: ¥0.752456 +3000: ¥0.694575 +6000: ¥0.682999 |
自营 国内现货
IRLML6402TRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 65 毫欧 3.7A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.2V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12 nC 5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 633 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.3W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | Micro3™/SOT-23 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |