IRLML5103TRPBF厂家价格_数据手册

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	IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.632286 +50：￥0.583063 +200：￥0.542044 +600：￥0.501025 +1500：￥0.46821	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.159136 +100：￥1.541664 +200：￥1.178784 +500：￥1.000944 +800：￥0.900432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.751894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.769011 +100：￥0.699784 +500：￥0.635074 +1000：￥0.577886 +3000：￥0.549293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.611226 +100：￥0.600113 +500：￥0.594556 +1000：￥0.586221	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.43955 +500：￥0.431678 +1000：￥0.423806 +3000：￥0.419871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.682999 +6000：￥0.665635 +9000：￥0.654059 +12000：￥0.64827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML5103TRPBF 授权代理品牌	IRLML5103TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.152807 +6000：￥0.134054 +9000：￥0.11611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML5103TRPBF 授权代理品牌	IRLML5103TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.495116 +100：￥0.474395 +500：￥0.453905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.6839 +6000：￥0.655487 +9000：￥0.589939 +30000：￥0.581213 +75000：￥0.54624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML5103TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	760mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	75 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	540mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.769011 +100：￥0.699784 +500：￥0.635074 +1000：￥0.577886 +3000：￥0.549293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.611226 +100：￥0.600113 +500：￥0.594556 +1000：￥0.586221	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.43955 +500：￥0.431678 +1000：￥0.423806 +3000：￥0.419871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML5103TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.682999 +6000：￥0.665635 +9000：￥0.654059 +12000：￥0.64827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 75 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML5103TRPBF 授权代理品牌	IRLML5103TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.152807 +6000：￥0.134054 +9000：￥0.11611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML5103TRPBF 授权代理品牌	IRLML5103TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.495116 +100：￥0.474395 +500：￥0.453905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数