IRLML2402TRPBF厂家价格_数据手册

搜索 IRLML2402TRPBF 共 61 条相关记录

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML2402TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFETs N-Channel SOT23-3 ID=6A 下载数据手册未分类	+1：￥0.239475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.280973	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.445939 +10：￥0.42852 +100：￥0.386713 +500：￥0.36581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.34552 +200：￥0.90992 +800：￥0.66792 +3000：￥0.484 +6000：￥0.4598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLML2402TRPBF 微碧半导体(VBsemi) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRLML2402TRPBF SOT-23 下载数据手册未分类	+1：￥0.291973	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.94864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥0.994966 +100：￥0.986535 +1000：￥0.969671 +3000：￥0.952807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2402TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRLML2402TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.181814 +9000：￥0.178651 +30000：￥0.173908 +96000：￥0.170747 +135000：￥0.15968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥1.473268 +30：￥0.718401 +100：￥0.647572 +500：￥0.61142 +1500：￥0.59424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.730703 +6000：￥0.665038 +9000：￥0.631517 +15000：￥0.593931 +21000：￥0.571604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML2402TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 930mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	110 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	540mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML2402TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFETs N-Channel SOT23-3 ID=6A 下载数据手册未分类	+1：￥0.239475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.280973	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.445939 +10：￥0.42852 +100：￥0.386713 +500：￥0.36581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥0.994966 +100：￥0.986535 +1000：￥0.969671 +3000：￥0.952807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2402TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRLML2402TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.181814 +9000：￥0.178651 +30000：￥0.173908 +96000：￥0.170747 +135000：￥0.15968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML2402TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥1.473268 +30：￥0.718401 +100：￥0.647572 +500：￥0.61142 +1500：￥0.59424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 930mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）