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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ14STRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.053708 +200：￥2.349363 +500：￥2.261945 +800：￥2.229163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ14STRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ14STRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥5.191454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLZ14STRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥12.699672	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLZ14STRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.124155 +10：￥19.721716 +100：￥15.372894	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRLZ14STRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.124155 +10：￥19.721716 +100：￥15.372894	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ14STRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ14STRLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥11.861593 +1000：￥11.742235 +2000：￥11.625391 +2500：￥11.508547 +3000：￥11.394215	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLZ14STRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 6A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.4 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.7W（Ta），43W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）