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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL4315PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.725889 +10：￥4.797072 +30：￥4.338126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL4315PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.90521 +10：￥2.84592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL4315PBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFL4315PBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+1000：￥1.38915 +2000：￥1.331269 +6000：￥1.308116 +10000：￥1.273388 +20000：￥1.238659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL4315PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFL4315PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL4315PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFL4315PBF International 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 185mOhm @ 1.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-223 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 420 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL4315PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 1.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFL4315PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Digi-Key 停止提供
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	185 毫欧 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	420 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）