IRL1004LPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRL1004LPBF 共 3 条相关记录

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1004LPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 78A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1004LPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 78A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1004LPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 78A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRL1004LPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 毫欧 78A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	100 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5330 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），200W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-262
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）