IRFR9110TRLPBF厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥5.440507 +200：￥2.111085 +500：￥2.037565 +1000：￥1.995553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.950285	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.554075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.82122 +10：￥16.826395 +100：￥13.116248 +500：￥10.835162 +1000：￥8.554075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.82122 +10：￥16.826395 +100：￥13.116248 +500：￥10.835162 +1000：￥8.554075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册未分类	+3000：￥8.123405	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2Ohm @ 1.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 200 pF @ 25 V
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥19.101173 +10：￥17.118976 +100：￥13.345592 +500：￥11.024621 +1000：￥8.703648	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2Ohm @ 1.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 200 pF @ 25 V
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥19.101173 +10：￥17.118976 +100：￥13.345592 +500：￥11.024621 +1000：￥8.703648	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2Ohm @ 1.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 200 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.437283 +10：￥16.793426 +100：￥13.086199 +500：￥11.089998 +1000：￥9.030428	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFR9110TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.554075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.82122 +10：￥16.826395 +100：￥13.116248 +500：￥10.835162 +1000：￥8.554075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.82122 +10：￥16.826395 +100：￥13.116248 +500：￥10.835162 +1000：￥8.554075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册未分类	+3000：￥8.123405	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2Ohm @ 1.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 200 pF @ 25 V
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥19.101173 +10：￥17.118976 +100：￥13.345592 +500：￥11.024621 +1000：￥8.703648	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2Ohm @ 1.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 200 pF @ 25 V
IRFR9110TRLPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥19.101173 +10：￥17.118976 +100：￥13.345592 +500：￥11.024621 +1000：￥8.703648	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2Ohm @ 1.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 200 pF @ 25 V