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IRL3103D1PBF_未分类
IRL3103D1PBF
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IRL3103D1PBF VBSEMI/微碧半导体

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IRL3103D1PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FETKY™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 34A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Ta),89W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRL3103D1PBF参数规格

属性 参数值