IRF5305SPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF5305SPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF5305SPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+20：￥2.415847 +800：￥2.315135 +2400：￥2.274965 +4000：￥2.214537 +11200：￥2.113823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF5305SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF5305SPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF5305SPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥4.414951 +40：￥4.238297 +160：￥4.061759 +800：￥3.955721 +2400：￥3.81449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF5305SPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF5305SPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥3.751053 +25：￥3.687499 +50：￥3.592111 +100：￥3.496723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF5305SPBF 授权代理品牌	IRF5305SPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.238297 +30：￥4.132374 +200：￥3.991028 +800：￥3.849798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF5305SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF5305SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF5305SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRF5305SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRF5305SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF5305SPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Digi-Key 停止提供
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	63 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）