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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.895165 +10：￥2.67246 +30：￥2.627919 +100：￥2.494296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRF510PBF TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥7.127263 +10：￥4.819793 +20：￥3.537919 +50：￥2.563748 +100：￥2.435609	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF510PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册	+1：￥6.874131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.820147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册未分类	+3000：￥2.122611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF510PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N-Channel 20V,-20V 0.127ohms(typ) VGS = 10 V, ID = 20 A 18000mA TO-220AB -55°C~175°C 105W 100V 下载数据手册未分类	+10：￥2.059349 +50：￥2.023842 +500：￥1.952831 +5000：￥1.899624 +30000：￥1.775301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥2.690811 +100：￥2.425302 +500：￥2.334389 +1000：￥2.24662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥10.509885 +100：￥8.188588 +500：￥6.772327 +1000：￥5.345488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.295802 +3000：￥2.217315 +10000：￥2.158392 +11000：￥2.119149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+950：￥2.884454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRF510PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.6A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	540mOhm 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	43W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册未分类	+3000：￥2.122611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF510PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N-Channel 20V,-20V 0.127ohms(typ) VGS = 10 V, ID = 20 A 18000mA TO-220AB -55°C~175°C 105W 100V 下载数据手册未分类	+10：￥2.059349 +50：￥2.023842 +500：￥1.952831 +5000：￥1.899624 +30000：￥1.775301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥2.690811 +100：￥2.425302 +500：￥2.334389 +1000：￥2.24662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥10.509885 +100：￥8.188588 +500：￥6.772327 +1000：￥5.345488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.295802 +3000：￥2.217315 +10000：￥2.158392 +11000：￥2.119149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+950：￥2.884454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540mOhm 3.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)