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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.43744 +10：￥1.320575 +30：￥1.297202 +100：￥1.227083	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRF9Z34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.288845 +10：￥2.90037 +20：￥2.128995 +50：￥1.54275 +100：￥1.465673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRF9Z34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.627031 +10：￥2.228941 +50：￥1.592118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

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	IRF9Z34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.36029 +10：￥1.857636 +50：￥1.639091 +100：￥1.365909 +500：￥1.344054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRF9Z34NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	P沟道 60V 20A 下载数据手册未分类	+1：￥2.425854 +10：￥1.966909 +30：￥1.770218 +100：￥1.518891 +500：￥1.344054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 20A 功率(Pd)： 20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 87mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 7.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)： 1.65nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)： 205pF@25V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

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	IRF9Z34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.19373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.097076 +50：￥8.050124 +100：￥6.379517 +500：￥5.40775 +1000：￥5.348697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z34NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥10.944748 +10：￥8.457305 +100：￥6.799011 +500：￥5.804033 +1000：￥5.787449	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z34NPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥10.035803 +10：￥7.803904 +100：￥6.299462 +500：￥5.390916 +1000：￥5.239234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF9Z34NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100mOhm 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	620 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	68W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)