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	IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥21.073239 +300：￥15.760613 +1000：￥12.218943 +4000：￥8.854296 +20000：￥7.968818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥13.090869 +10：￥11.386215 +30：￥10.32627 +100：￥9.233543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.506336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥12.243968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥15.274862 +8000：￥14.419493 +12000：￥13.686253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥6.049782 +8000：￥5.822351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥14.799369 +8000：￥14.243012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.861453 +10：￥27.260719 +100：￥21.69856 +500：￥18.360122 +1000：￥15.578329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.861453 +10：￥27.260719 +100：￥21.69856 +500：￥18.360122 +1000：￥15.578329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

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	IRFH5020TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 下载数据手册晶体管	+1：￥37.402249 +10：￥31.032433 +100：￥24.662619 +250：￥22.866004 +500：￥20.742732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2290 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH5020TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	54 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2290 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），8.3W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）