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	IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥21.37392 +100：￥15.260832 +300：￥11.66904 +500：￥9.908928 +1000：￥8.91216	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.045229 +10：￥6.879406 +30：￥6.249231 +100：￥5.524531 +500：￥4.400719	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.1503	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.316784 +100：￥4.238297 +500：￥4.199053 +1000：￥4.140246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.395271 +500：￥4.316784 +1000：￥4.238297 +3000：￥4.199053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.501034 +500：￥5.40935 +1000：￥5.363508 +3000：￥5.271824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.705664 +100：￥7.242048 +1200：￥6.709824 +2400：￥6.386688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥13.454296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.038019 +10：￥25.75283 +100：￥20.496312 +500：￥17.343397 +1000：￥14.715637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME
IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.038019 +10：￥25.75283 +100：￥20.496312 +500：￥17.343397 +1000：￥14.715637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME

IRF7480MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	217A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 毫欧 132A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	185 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6680 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	96W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ Isometric ME
封装/外壳:	DirectFET™ Isometric ME
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.316784 +100：￥4.238297 +500：￥4.199053 +1000：￥4.140246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.395271 +500：￥4.316784 +1000：￥4.238297 +3000：￥4.199053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7480MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.501034 +500：￥5.40935 +1000：￥5.363508 +3000：￥5.271824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 217A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 132A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 96W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）