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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6643TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 下载数据手册	+1：￥35.847812 +200：￥13.876572 +500：￥13.388558 +1000：￥13.144551	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34.5 毫欧 7.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6643TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.627262	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34.5 毫欧 7.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF6643TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥10.382509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34.5 毫欧 7.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6643TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥17.940941	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34.5 毫欧 7.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6643TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.754972 +10：￥28.530052 +100：￥22.929067 +500：￥18.837988 +1000：￥17.940941	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MZ 供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ
IRF6643TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MZ 供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6643TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 下载数据手册	+1：￥37.885801 +10：￥33.9062 +100：￥25.62863 +500：￥21.489845 +1000：￥17.35106	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34.5 毫欧 7.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6643TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R 下载数据手册未分类	+1：￥34.109823 +10：￥30.240893 +25：￥29.939267 +100：￥22.959817 +250：￥20.06247	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF6643TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.2A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	34.5 毫欧 7.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	55 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2340 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MZ
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MZ
温度:	-40°C # 150°C（TJ）