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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7307PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.798192 +200：￥0.695958 +500：￥0.671481 +1000：￥0.659351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Discontinued at Digi-Key FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A, 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50mOhm 2.6A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7307PBF International 授权代理品牌	AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL 下载数据手册未分类	+1：￥7.033816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A, 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50mOhm 2.6A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	IRF7307PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Discontinued at Digi-Key FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A, 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50mOhm 2.6A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7307PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Discontinued at Digi-Key FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A, 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50mOhm 2.6A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	IRF7307PBF International 授权代理品牌	AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL 下载数据手册未分类	+1：￥12.15441	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A, 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50mOhm 2.6A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)

IRF7307PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	International Rectifier
包装:	Bulk
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N and P-Channel
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.2A, 4.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50mOhm 2.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C (TJ)