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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7306PBF_射频晶体管
IRF7306PBF
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥21.821758

+200:

¥8.709034

+500:

¥8.413998

+1000:

¥8.271943

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7306PBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7306PBF_未分类
IRF7306PBF
授权代理品牌

AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max: 2W (Ta)

FET Type: 2 P-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss): 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V

FET Feature: Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SO

Part Status: Active

IRF7306PBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SO