品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Discontinued at Digi-Key

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90mOhm 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610pF 15V

功率 - 最大值： 2W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： International Rectifier

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A (Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90mOhm 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610pF 15V

功率 - 最大值： 2W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C (TJ)