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	IRF6648TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥91.486224 +100：￥65.320992 +300：￥49.948992 +500：￥42.41088 +1000：￥38.14848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF6648TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN 下载数据手册未分类	+1：￥33.994737 +10：￥30.071847 +30：￥27.744339 +100：￥25.384048 +500：￥24.291321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRF6648TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.63292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRF6648TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN 下载数据手册未分类	+1：￥27.361619 +10：￥24.584298 +50：￥22.732826 +100：￥19.441133 +200：￥18.103922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IRF6648TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN 下载数据手册未分类	+1200：￥23.885694 +2400：￥23.171338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF6648TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥8.772886	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6648TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥15.159517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6648TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.674909 +10：￥27.550822 +100：￥22.141398 +500：￥18.19124 +1000：￥15.159517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN
IRF6648TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.674909 +10：￥27.550822 +100：￥22.141398 +500：￥18.19124 +1000：￥15.159517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN
IRF6648TRPBF International 授权代理品牌	IRF6648 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 温度： -40°C # 150°C (TJ)

IRF6648TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2120 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MN
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MN
温度:	-40°C # 150°C（TJ）