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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7101PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.266704 +200：￥1.888992 +500：￥1.511136 +1000：￥1.25928	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Discontinued at Digi-Key FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 1.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7101PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.954561 +200：￥0.756386 +500：￥0.729832 +1000：￥0.716719	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Discontinued at Digi-Key FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 1.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7101PBF International 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 2W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 100mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 15nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Part Status： Active
	IRF7101PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Discontinued at Digi-Key FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 1.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7101PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Discontinued at Digi-Key FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 1.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	IRF7101PBF International 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 2W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 100mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 15nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Part Status： Active

IRF7101PBF参数规格

属性	参数值
Packaging:	Bulk
Package / Case:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
Mounting Type:	Surface Mount
Operating Temperature:	-55°C # 150°C (TJ)
Power - Max:	2W
FET Type:	2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss):	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:	3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:	320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	15nC @ 10V
FET Feature:	Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id:	3V @ 250µA
Supplier Device Package:	8-SO
Part Status:	Active