IRF510厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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搜索 IRF510 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF510 ON(安森美) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥0.703623 +200：￥0.272294 +500：￥0.262723 +1000：￥0.257996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF510 ISC(无锡固电) 授权代理品牌	TO-220 下载数据手册未分类	+10：￥6.925244 +100：￥5.102811 +500：￥4.009352 +1000：￥3.037388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF510 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N-Channel 20V,-20V 0.17Ω@ 18000mA T O-220AB -55°C~175°C 105W 100V 下载数据手册未分类	+10：￥2.059349 +50：￥2.023842 +500：￥1.952831 +5000：￥1.899624 +30000：￥1.775301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF510 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF510 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF510 Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.086235	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220AB

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF510 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF510 SAMSUNG(三星半导体) 授权代理品牌	MOSFET - N-Channel - 5.6A - 100V - 0.540 Ohm - TO-220. 下载数据手册未分类	+1：￥18.619045 +25：￥17.222618 +100：￥9.002309 +250：￥4.468573 +500：￥4.189285	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF510参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	540 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	43W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）