IRLR3110ZTRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3110ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.272165 +10：￥7.588515 +30：￥7.451785 +100：￥7.041595	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLR3110ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.17638 +30：￥4.98883 +100：￥4.61373 +500：￥4.23863 +1000：￥4.05108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3110ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥19.760832 +100：￥14.104512 +200：￥10.783728 +300：￥9.242928 +500：￥8.392752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLR3110ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.30472 +100：￥9.591984 +2000：￥6.851376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3110ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3110ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.87008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR3110ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥10.672482 +6000：￥10.271248 +10000：￥9.931193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR3110ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.675365 +10：￥19.663015 +100：￥15.64817 +500：￥13.240261 +1000：￥11.23421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRLR3110ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.675365 +10：￥19.663015 +100：￥15.64817 +500：￥13.240261 +1000：￥11.23421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRLR3110ZTRPBF International 授权代理品牌	IRLR3110 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 14mOhm @ 38A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3980 pF @ 25 V

IRLR3110ZTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	48 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3980 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	140W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）