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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF8915TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

射频晶体管

+4000:

¥6.05379

+8000:

¥5.826154

+12000:

¥5.598592

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18.3mOhm 8.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 10V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF8915TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

射频晶体管

+4000:

¥10.460929

+8000:

¥10.067575

+12000:

¥9.674347

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18.3mOhm 8.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 10V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

IRF8915TR参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: Obsolete
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18.3mOhm 8.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 10V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 150°C (TJ)